Modelado Numérico Bidimensional De Células Solares De Silicio Microcristalino

Abstract

Presentamos el desarrollo de un modelo de tipo multifísica para células de silicio
microcristalino de capas de conductividad p+πn+. Realizando simulaciones investigamos el rol del
dopaje de la capa π, de la velocidad de recombinación en los contactos y de la densidad de defectos en
los bordes de grano sobre los parámetros eléctricos de salida y la eficiencia de conversión energética.
Los resultados muestran que los rendimientos del 10 % hallados experimenalmente deben
corresponderse con densidades de defecto del orden de 1011 cm-2 y capas π intrínsecas o de dopaje
reducido. Las simulaciones también muestran que la utilización de dopajes mayores, de forma tal que
resulten células pn+, permitiría alcanzar rendimientos del 15 % únicamente si la velocidad de
recombinación superficial en las superficies delantera y trasera se mantiene por debajo de 100 cm/s.